La memoria de acceso
La memoria de acceso aleatorio (RAM) ha evolucionado enormemente con el paso de los años. G.Skill, por ejemplo, lanzó recientemente su kit de memoria Ripjaws 4 DDR4-3333, que incluye cuatro módulos de 4 GB con velocidades de hasta 3300 MHz o 3200 MHz. Por supuesto, hay varias otras empresas desarrollando chips de memoria aún más grandes y rápidos. Pero, ¿cómo llegamos a alcanzar este nivel tecnológico en la memoria RAM?
Algunos de los primeros "ordenadores" electrónicos usaban contadores mecánicos para realizar funciones de memoria. Utilizando un dispositivo llamado tubo de vacío, podían escribir pequeñas cantidades de datos, pero con una limitación: solo podían reproducir los datos en el orden en que se escribieron. No fue hasta la invención del transistor que la RAM comenzó a desarrollarse hasta lo que hoy conocemos.
Después de que Bell Labs inventara el transistor, se crearon registros de memoria más pequeños y rápidos. Sin embargo, seguían siendo poco efectivos para aplicaciones más grandes, ya que un registro típico solo podía almacenar unos pocos cientos de bits.
En 1947 se creó la primera memoria de acceso aleatorio real, conocida como el tubo de Williams. Utilizaba un diseño similar al de los tubos de vacío anteriores, escribiendo datos en forma de marcas eléctricamente cargadas. Como usaba un haz de electrones a través del CRT, el tubo de Williams podía leer y escribir en cualquier orden, lo que lo convertía en memoria aleatoria.
¿Cuánta información podía almacenar el tubo de Williams? Se estima que podía guardar unos pocos miles de bits. Fue una gran mejora respecto a los tubos de vacío anteriores, además de ser más eficiente, rápido y potente.
Ese mismo año, se inventó la memoria de núcleo magnético. Como su nombre indica, usaba magnetización para almacenar bits individuales. Esta tecnología fue la opción principal de memoria hasta los años 70, cuando la DRAM la reemplazó.
En 1968, Robert H. Dennard desarrolló la primera memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). Usando un solo transistor por bit, eliminó la necesidad de circuitos más grandes con 4 o 6 transistores. El resultado fue una mayor densidad de memoria con mejor rendimiento. La llegada de la DRAM marcó un antes y un después en el desarrollo de tecnologías de memoria. Volviendo al ejemplo del primer párrafo, el nuevo módulo Ripjaws de 16 GB puede almacenar hasta 128.000.000.000 bits, mientras que los tubos de vacío antiguos solo podían almacenar unos pocos cientos.
leatorio (RAM) ha recorrido un largo camino a lo largo de los años. G.Skill, por ejemplo, lanzó recientemente su kit de memoria Ripjaws 4 DDR4-3333, que incluye cuatro módulos de 4 GB con frecuencias de reloj de 3300 MHz o 3200 MHz. Por supuesto, varias otras compañías también están desarrollando chips de memoria más grandes y rápidos. Pero, ¿cómo logró la humanidad este salto tecnológico hacia una RAM tan potente?
Algunos de los primeros "ordenadores" electrónicos utilizaban contadores mecánicos para realizar funciones de memoria. Utilizando un dispositivo llamado tubo de vacío, eran capaces de escribir pequeñas cantidades de datos, pero con una limitación: solo podían reproducir los datos en el mismo orden en que fueron escritos. No fue hasta la invención del transistor que la RAM realmente comenzó a evolucionar hacia lo que conocemos hoy.
Después de que los laboratorios Bell inventaran el transistor, se crearon registros de memoria más pequeños y rápidos. Aun así, seguían siendo relativamente ineficaces para aplicaciones de gran escala, ya que un registro de memoria típico solo podía almacenar unos pocos cientos de bits de datos.
En 1947 se creó la primera memoria de acceso aleatorio real, conocida como el tubo de Williams. Utilizando un diseño similar al de los tubos de vacío anteriores, escribía datos en forma de marcas cargadas eléctricamente. Al usar un haz de electrones a través del CRT, el tubo de Williams podía leer y escribir en cualquier orden; es decir, la memoria era aleatoria.
¿Cuánta información podía almacenar el tubo de Williams? Los informes sugieren que podía guardar unos pocos miles de bits. Fue una gran mejora respecto a los tubos de vacío anteriores. Además, el tubo de Williams era más eficiente energéticamente, más rápido y más potente.
También en 1947, se inventó la memoria de núcleo magnético. Como su nombre indica, utilizaba magnetización para almacenar bits individuales. Esta tecnología se convirtió en la opción estándar de memoria hasta la década de 1970, cuando fue reemplazada por la DRAM.
En 1968, Robert H. Dennard creó la primera memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) del mundo. Al usar un solo transistor por bit, eliminó la necesidad de circuitos latch voluminosos de 4 y 6 transistores. El resultado fue una mayor densidad de memoria con una volatilidad superior. La llegada de la DRAM allanó el camino para desarrollos tecnológicos revolucionarios en el campo de la memoria. Volviendo al ejemplo del primer párrafo, el nuevo G.Skill Ripjaws de 16 GB puede almacenar hasta 128.000.000.000 bits de datos, mientras que los tubos de vacío más antiguos solo podían contener unos pocos cientos de bits.
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